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Pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試獲得的信號(hào)波形沒(méi)有出現(xiàn)非單調(diào)的情況。按照以上設(shè)計(jì)改板后的測(cè)試結(jié)果與仿真 致。 如果不進(jìn)行仿真,那么只能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)完成之后進(jìn)行測(cè)試才能發(fā)現(xiàn)問(wèn)題,如果要改善, 只能再改板調(diào)整,還可能出現(xiàn)改板很多次的情況,這樣就會(huì)延遲產(chǎn)品上市時(shí)間并增加物料成本。
更新時(shí)間:2025-05-14
PCIE2.0 3.0 物理層一致性測(cè)試
cie2.0 3.0 物理層致性測(cè)試pcie總線與pci總線不同,pcie總線使用端到端的連接方式,在條pcie鏈路的兩端只能各連接個(gè)設(shè)備,這兩個(gè)設(shè)備互為是數(shù)據(jù)發(fā)送端和數(shù)據(jù)接收端。pcie鏈路可以由多條lane組成,目pcie鏈路×1、×2、×4、×8、×16和×32寬度的pcie鏈路,還有幾乎不使用的×12鏈路。
更新時(shí)間:2025-05-14
PCIE2.0 3.0 TX 發(fā)送 物理層一致性測(cè)試
pcie總線的層次組成結(jié)構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)中的層次結(jié)構(gòu)有類似之處,但是pcie總線的各個(gè)層次都是使用硬件邏輯實(shí)現(xiàn)的。在pcie體系結(jié)構(gòu)中,數(shù)據(jù)報(bào)文先在設(shè)備的核心層(device core)中產(chǎn)生,然后再經(jīng)過(guò)該設(shè)備的事務(wù)層(transactionlayer)、數(shù)據(jù)鏈路層(data link layer)和物理層(physical layer),終發(fā)送出去。
更新時(shí)間:2025-05-14
PCIE2.0 3.0 RX 接收 物理層一致性測(cè)試
pcie2.0 3.0 rx 接收 物理層致性測(cè)試當(dāng)pcie設(shè)備進(jìn)入休眠狀態(tài),主電源已經(jīng)停止供電時(shí),pcie設(shè)備使用該信號(hào)向處理器系統(tǒng)提交喚醒請(qǐng)求,使處理器系統(tǒng)重新為該pcie設(shè)備提供主電源vcc。
更新時(shí)間:2025-05-14
PCIE Gen2/Gen3/Gen4 發(fā)送端 信號(hào)質(zhì)量一致性測(cè)試
pcie 初始化完成后會(huì)進(jìn)入l0狀態(tài)。異常狀態(tài)見(jiàn)pcie link 異常log。物理層link 不穩(wěn)定,懷疑以下原因:- 高速串行信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題- serdes電源問(wèn)題- 時(shí)鐘問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-05-14
金屬導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀
加工定制:是類型:指針式電阻測(cè)量?jī)x表品牌:yaos堯順型號(hào):dx200ghd測(cè)量范圍:10-5--105ω(mω)電 源:220±10%測(cè)試電壓:2 mv、20 mv、200 mv、2v(v)精度:0.1%重量:8.5(kg)尺 寸:345mm*480mm*145mm規(guī)格:φ30x180
更新時(shí)間:2025-05-14
MIPI傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題
mipi傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題mipi是2003年由arm,nokia,st,it等公司成立的個(gè)聯(lián)盟,旨在把手機(jī)內(nèi)部的接口如存儲(chǔ)接口,顯示接口,射頻/基帶接口等標(biāo)準(zhǔn)化,減少兼容性問(wèn)題并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
更新時(shí)間:2025-05-14
MIPI接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試
mipi接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試基于示波器的當(dāng)抖動(dòng)測(cè)量工具在條通道上只提供個(gè)眼圖。在通用測(cè)量中,這些工具只有6-8個(gè)測(cè)量項(xiàng)目。dpojet全面支持所有通道,包括同時(shí)測(cè)量每條通道的眼圖。
更新時(shí)間:2025-05-14
MIPI接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試 MIPI傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題 MIPI驅(qū)動(dòng)問(wèn)題 重起問(wèn)題
mipi接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試 mipi傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題 mipi驅(qū)動(dòng)問(wèn)題 重起問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-05-14
硬件工程師調(diào)試MIPI屏經(jīng)驗(yàn) MIPI 接口的sensor問(wèn)題 MIPI接口的DSI的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題
硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn) mipi 接口的sensor問(wèn)題 mipi接口的dsi的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-05-14
MIPI LCD接口 MIPI主板 MIPI故障分析與解決 MIPI調(diào)試經(jīng)驗(yàn) MIPI硬件開(kāi)發(fā) MIPI驅(qū)動(dòng)
mipi lcd接口 mipi主板 mipi故障分析與解決 mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開(kāi)發(fā) mipi驅(qū)動(dòng)
更新時(shí)間:2025-05-14
MIPI調(diào)試經(jīng)驗(yàn) MIPI硬件開(kāi)發(fā) MIPI驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試MIPI屏經(jīng)驗(yàn)
mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開(kāi)發(fā) mipi驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn)
更新時(shí)間:2025-05-14
MIPI調(diào)試經(jīng)驗(yàn) MIPI硬件開(kāi)發(fā) MIPI驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試MIPI屏經(jīng)驗(yàn) MIPI 接口的sensor問(wèn)題
mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開(kāi)發(fā) mipi驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn) mipi 接口的sensor問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-05-14
MIPI攝像頭 MIPI眼圖測(cè)試 MIPI LCD接口 MIPI主板 MIPI故障分析與解決
mipi攝像頭 mipi眼圖測(cè)試 mipi lcd接口 mipi主板 mipi故障分析與解決從軟件層面,再回顧下數(shù)據(jù)格式,加深在數(shù)據(jù)線上有3 種可能的操作模式:escape mode, high-speed (burst) mode and control mode,下面是從停止?fàn)顟B(tài)進(jìn)入相應(yīng)模式需要的時(shí)序:
更新時(shí)間:2025-05-14
梅特勒電極(有問(wèn)題,產(chǎn)品上留有碎渣)
梅特勒電極ha405-dpa-sc-s8/120(有問(wèn)題,產(chǎn)品上留有碎渣) 硬件開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 儀器租賃
更新時(shí)間:2025-05-14
ETS-LINDGREN近場(chǎng)探頭,硬件測(cè)試,開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室,DDR測(cè)試,時(shí)序測(cè)試,紋波測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試
misenbo 硬件開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 ets-lindgren 7405近場(chǎng)探頭 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-05-14
Nemtest dito靜電放電模擬器,硬件測(cè)試,開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室,DDR測(cè)試,時(shí)序測(cè)試,紋波測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試
misenbo 硬件開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 nemtest dito 靜電放電模擬器 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-05-14
出租Tektronix USB2.0測(cè)試夾具
出租tektronix usb2.0測(cè)試夾具
更新時(shí)間:2025-05-14
PCIE2.0 3.0 驗(yàn)證 調(diào)試和一致性測(cè)試解決方案
遇到的問(wèn)題pcie link不穩(wěn)定配置空間讀寫(xiě)正常,memory mapping空間讀寫(xiě)異常
更新時(shí)間:2025-05-14
EMMC 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí),焊盤(pán)部分要增加敷銅禁布框,避免銅皮分布不均影響散熱,導(dǎo)致貼片虛焊。
更新時(shí)間:2025-05-14
EMMC 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過(guò)大的問(wèn)題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶探頭的連接方式,發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長(zhǎng)的鱷魚(yú)夾地線,而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上,整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開(kāi)關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲,于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
更新時(shí)間:2025-05-14
EMMC 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-14
EMMC 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試這是個(gè)典型的電源紋波測(cè)試的問(wèn)題。我們通過(guò)使用短的地線連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測(cè)試結(jié)果大大改善。
更新時(shí)間:2025-05-14
EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
emmc4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上,示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗;電纜的另頭剝開(kāi),屏蔽層焊接在被測(cè)電路地上,中心導(dǎo)體通過(guò)個(gè)隔直電容連接被測(cè)的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本,低衰減比,缺點(diǎn)是致性不好,隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
更新時(shí)間:2025-05-14
Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試通俗的來(lái)說(shuō),emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
更新時(shí)間:2025-05-14
EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc4 , 復(fù)位測(cè)試 , clk測(cè)試 , dqs測(cè)試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller,包括了協(xié)議、擦寫(xiě)均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
更新時(shí)間:2025-05-14
EMMC5 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試包括card interface(cmd,data,clk)、memory core interface、總線接口控制(card interface controller)、電源控制、寄存器組。
更新時(shí)間:2025-05-14
EMMC5 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試mmc通過(guò)發(fā)cmd的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪問(wèn)。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。
更新時(shí)間:2025-05-14
EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC5 復(fù)位測(cè)試
emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc5 復(fù)位測(cè)試identification state,發(fā)送完 cid 后,emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
更新時(shí)間:2025-05-14
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 , emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-14
CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host,頻率與 clk 信號(hào)相同,用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用,啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆(wěn)定性,省去總線 tuning 過(guò)程。
更新時(shí)間:2025-05-14
CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-14
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-14
控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試 EMMC 復(fù)位測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣,固定為 "0",在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下,cmd 信號(hào)保持高電平,當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí),host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào),并開(kāi)始接收 response。
更新時(shí)間:2025-05-14
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣,固定為 "0",在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下,cmd 信號(hào)保持高電平,當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí),host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào),并開(kāi)始接收 response。
更新時(shí)間:2025-05-14
CLK測(cè)試 DQS測(cè)試  EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試,眼圖測(cè)試
clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試,眼圖測(cè)試crc 為 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值,不包含 start bit。各個(gè) data line 上的 crc 為對(duì)應(yīng) data line 的 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值。
更新時(shí)間:2025-05-14
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試在 ddr 模式下,data line 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會(huì)傳輸數(shù)據(jù),其中上升沿傳輸數(shù)據(jù)的奇數(shù)字節(jié) (byte 1,3,5...),下降沿則傳輸數(shù)據(jù)的偶數(shù)字節(jié)(byte 2,4,6 ...)。
更新時(shí)間:2025-05-14
復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試
復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試當(dāng) emmc device 處于 sdr 模式時(shí),host 可以發(fā)送 cmd19 命令,觸發(fā)總線測(cè)試過(guò)程(bus testing procedure),測(cè)試總線硬件上的連通性。
更新時(shí)間:2025-05-14
低阻抗率計(jì) MCP-型 (手提式)
商品名稱:低阻抗率計(jì) mcp-t370型 (手提式)loresta-ax特色:維持安定之高質(zhì)量,依據(jù)之四探針理論之高精度之阻抗率計(jì)操作簡(jiǎn)單,現(xiàn)場(chǎng)使用攜帶型方便,用于生產(chǎn)技術(shù)、質(zhì)量管理測(cè)定范圍:10-2~106ω資料輸出:usb memory體積:約 228 w× 85 d× 65 hmm, 420g標(biāo)準(zhǔn)配備
更新時(shí)間:2025-05-14
合金鋼化驗(yàn)儀器,合金鋼成分分析儀
gq-hw2a電弧紅外碳硫分析儀: 主要技術(shù)指標(biāo):*測(cè)量范圍:碳(c)0.001%~10.000%(可擴(kuò)至99.999%) 硫(s)0.0005%~0.5000%(可擴(kuò)至99.999%) *分析時(shí)間:25~60s可調(diào),一般35s*分析誤差:碳優(yōu)于gb/223.69-1997標(biāo)準(zhǔn) 硫優(yōu)于gb/t223.68-1997標(biāo)準(zhǔn) *燃燒功率:小于2.5kva; *工作原理:電弧燃燒,紅外檢測(cè)
更新時(shí)間:2025-05-14
激光水準(zhǔn)儀 隔爆型激光水準(zhǔn)儀 激光指向儀 水準(zhǔn)器出租
本儀器由半導(dǎo)體激光管、微型穩(wěn)壓電源、光學(xué)系統(tǒng)、調(diào)焦系統(tǒng)、隔爆結(jié)構(gòu)和調(diào)節(jié)裝置組合而成,為體式激光指向產(chǎn)品。本儀器集中我公司原有激光產(chǎn)品的許多優(yōu)點(diǎn),造型新穎,調(diào)節(jié)靈活,安裝快捷、方便、安全性能高,使用壽命長(zhǎng)。發(fā)光器采用進(jìn)口晶體管,可隨意調(diào)焦,可更換激光管及穩(wěn)定電源。本儀器在-20℃~40℃環(huán)境中及在海拔5000米以上高原環(huán)境中都可正常使用。
更新時(shí)間:2025-05-13
便攜式可燃?xì)怏w測(cè)爆儀 可燃?xì)怏w測(cè)爆儀器 可燃?xì)怏w檢測(cè)儀出租
類型:便攜式 測(cè)量范圍:0-20ppm 測(cè)量對(duì)象:cl2 測(cè)量精度:0.1 電壓:dc3.6v鋰電;1200mah(v) 分辨率:0.3 尺寸:110mm×60mm×40mm(mm) 重量:≤0.2g(kg) 電源:dc3.6v鋰電;1200mah
更新時(shí)間:2025-05-13
雙環(huán)入滲儀 土壤水滲透速度測(cè)量?jī)x 滲透速率測(cè)試儀出租
in8雙環(huán)入滲儀是用來(lái)測(cè)量水滲入土壤的滲透速度。in8有個(gè)6英寸的內(nèi)環(huán)、12英寸的外環(huán),環(huán)高7英寸。在雙環(huán)的中心有根焊接鋼棒來(lái)穩(wěn)固外環(huán)和內(nèi)環(huán),使兩個(gè)環(huán)處于同心。鋼棒兩端有橡膠手柄,使內(nèi)外環(huán)插入土壤變得很簡(jiǎn)單。此種環(huán)適用于土壤堅(jiān)硬的地區(qū)。15分鐘內(nèi)測(cè)定滲透速率。
更新時(shí)間:2025-05-13
蠕動(dòng)泵頭 高精度蠕動(dòng)泵頭 蠕動(dòng)泵泵頭出租
泵頭殼體材料—pps聚苯硫醚,在蠕動(dòng)泵正常工作時(shí),液體只接觸軟管,由于長(zhǎng)期摩擦 或輸送腐蝕性液體,軟管會(huì)逐漸老化,甚至破裂。旦腐蝕性液體滲漏,首先會(huì)接觸泵 頭,如果泵頭的材料不耐腐蝕,必然導(dǎo)致其酥裂;這將給生產(chǎn)、試驗(yàn)或教學(xué)帶來(lái)不必要的損失。而pps-聚苯硫醚材料的泵頭不存在以上問(wèn)題。聚苯硫醚泵頭精度高,耐高溫, 抗腐蝕,尤其在抗有機(jī)溶劑等強(qiáng)化學(xué)腐蝕方面表現(xiàn)優(yōu)異,它拓寬了蠕動(dòng)泵的使用范圍, 使其在更多的領(lǐng)域發(fā)揮作用。
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前照燈檢測(cè)儀 機(jī)動(dòng)車(chē)前照燈發(fā)光強(qiáng)度分析儀 手動(dòng)車(chē)燈調(diào)試儀出租
dg-1型車(chē)燈調(diào)試儀是采用光電原理,經(jīng)精密加工的特殊光學(xué)鏡頭而設(shè)計(jì)制造。本產(chǎn)品適用于各種汽車(chē)檢測(cè)中心、制造廠、維修廠及車(chē)隊(duì),可對(duì)各種機(jī)動(dòng)車(chē)輛前照燈的發(fā)光強(qiáng)度及偏斜度進(jìn)行準(zhǔn)確的測(cè)量校正,是種理想的無(wú)源調(diào)試儀,具有指示精確、直觀、性能穩(wěn)定、隨意移動(dòng)等特點(diǎn)。
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阻擺式料位計(jì) UL型阻移式料位計(jì) 塊狀物料分析儀出租
ul型阻移式物位計(jì),對(duì)開(kāi)口料倉(cāng)與密閉料倉(cāng)中的粉狀、顆粒狀、塊狀物料進(jìn)行檢測(cè)、報(bào)警及自動(dòng)控制。經(jīng)鋼鐵、耐火、水泥、橡膠、化纖、電力等工業(yè)的長(zhǎng)期運(yùn)行,都獲得理想效果,被廣泛用于工業(yè)生產(chǎn)中。ul型儀表屬機(jī)械儀表,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,耐高溫,防塵,耐沖擊,無(wú)繁雜電氣線路,控制可靠,可長(zhǎng)期運(yùn)行。其產(chǎn)品型號(hào)可分為ul-2、ul-3、ul-4、ul-k等。
更新時(shí)間:2025-05-13
三用紫外線分析儀 紫外線分析儀 紙層分析熒光斑點(diǎn)檢測(cè)儀出租
紫外線能激發(fā)某些物質(zhì)發(fā)生熒光和具有殺菌能力,因此紫外線分析在科學(xué)研究、醫(yī)藥衛(wèi)生、石油化工、染料、涂料、橡膠、紡織、造紙、食品、地質(zhì)勘探、考古、公安等具有廣泛的用途。
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地下漏水檢測(cè)儀 袖珍便攜式漏水檢測(cè)儀 管道漏水檢測(cè)儀出租
jt-2000型漏水檢測(cè)儀為袖珍便攜式漏水檢測(cè)儀,主機(jī)體積只有150mm×70mm×116mm大小,重約870克,攜帶操作極為輕巧簡(jiǎn)便,整體設(shè)計(jì)采用全金屬外殼,堅(jiān)固耐用
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數(shù)顯式電子水平儀 電子水平測(cè)定儀 數(shù)顯式水平檢測(cè)儀出租
分度值: i=0.005毫米/米主要技術(shù)指標(biāo):1、顯示范圍:0-±1999數(shù)字2、測(cè)量范圍:≤±500數(shù)字3、示值誤差:≤±(1+a/50)注:a為受檢點(diǎn)標(biāo)稱值的絕對(duì)值(數(shù))用途: 適合"0"檢定,只有個(gè)測(cè)量檔。(配鋰電池2節(jié))
更新時(shí)間:2025-05-13

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