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光學(xué)平臺產(chǎn)品及廠家

德國 Sentech 反應(yīng)離子刻蝕機
entech rie si591 平板電容式反應(yīng)離子刻蝕機，兼容多種氯基或氟基刻蝕工藝；小型化和高度模塊化；sentech控制軟件
更新時間:2025-07-07
德國 Sentech 等離子刻蝕機
德國sentech icp-rie si 500 等離子刻蝕機，代表了電感耦合等離子體(icp)加工在研究和生產(chǎn)上的先優(yōu)勢。它以ptsa等離子體源、動態(tài)控溫基片電、全控真空系統(tǒng)、先進(jìn)的sentech 控制軟件為基礎(chǔ)，采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)，為操作si 500提供了非常人性化的通用用戶界面。靈活性和模塊化是si 500的設(shè)計特點。
更新時間:2025-07-07
德國 Sentech 等離子體 ICP 干法刻蝕機
sentech si 500 電感耦合等離子體icp干法刻蝕系統(tǒng)，感應(yīng)耦合等離子刻蝕機臺，低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕，高速率刻蝕，內(nèi)置icp等離子源，動態(tài)溫控。
更新時間:2025-07-07
英國Nanobean 電子束光刻機
英國nanobean nb5 電子束光刻機,具有良好的穩(wěn)定性，平均正常運行時間超過93%.
更新時間:2025-07-07
美國Trion 具有預(yù)真空室的反應(yīng)離子刻蝕機
minilock-phantom iii 具有預(yù)真空室的反應(yīng)離子刻蝕機。適用于單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，為實驗室和試制線生產(chǎn)環(huán)境提供最先進(jìn)的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統(tǒng)有多達(dá)七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。
更新時間:2025-07-07
美國Trion反應(yīng)離子刻蝕與沉積系統(tǒng)
oracle iii由中央真空傳輸系統(tǒng)(cvt)、真空盒升降機和最多四個工藝反應(yīng)室構(gòu)成。這些工藝反應(yīng)室與中央負(fù)載鎖對接，既能夠以生產(chǎn)模式運行，也能夠作為單個系統(tǒng)獨立作業(yè)。 oracle iii是市場上最靈活的系統(tǒng)，既可以為實驗室環(huán)境進(jìn)行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產(chǎn)進(jìn)行配置(使用真空盒升降機進(jìn)行基片傳送)。
更新時間:2025-07-07
美國Trion 離子刻蝕與沉積系統(tǒng)
titan是一套用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的十分緊湊、全自動化、帶預(yù)真空室的等離子系統(tǒng)。titan具有反應(yīng)離子刻蝕(rie)配置、高密度電感耦合等離子沉積(hdicp)或等離子增強型化學(xué)汽相沉積(pecvd)配置。可對單個基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進(jìn)行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價格適宜且占地面積小。
更新時間:2025-07-07
美國Trion 薄膜沉積系統(tǒng)
美國trion orion iii pecvd 薄膜沉積系統(tǒng)可以在緊湊的平臺上生產(chǎn)高品質(zhì)的薄膜。獨特的反應(yīng)器設(shè)計可以在在極低的功率生產(chǎn)具有優(yōu)異臺階覆蓋的低應(yīng)力薄膜。該系統(tǒng)可以滿足實驗室和中試生產(chǎn)環(huán)境中的所有安全，設(shè)施和工藝標(biāo)準(zhǔn)要求。
更新時間:2025-07-07
美國Trion 高密度化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
orion hdcvd 高密度氣相化學(xué)沉積系統(tǒng)采用高密度的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在惰性氣體進(jìn)入口安裝感應(yīng)線圈，周圍布置陶瓷管。射頻創(chuàng)建等離子體,通過氣體環(huán)在襯底表面附近引入揮發(fā)性氣體。當(dāng)惰性氣體與揮發(fā)性物質(zhì)結(jié)合時，會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，然后在襯底表面沉積一層薄膜.
更新時間:2025-07-07
德Zeiss 電子束直寫儀
德zeiss sigma sem 電子束直寫儀,利用曝光抗蝕劑，采用電子束直接曝光，可在各種襯底材料表面直寫各種圖形，圖形結(jié)構(gòu)（小線寬為10mm），是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具。廣泛應(yīng)用于納米器件，光子晶體，低維半導(dǎo)體等沿域。
更新時間:2025-07-07
俄羅斯 Optosystem 準(zhǔn)分子激光器
俄羅斯 optosystem 準(zhǔn)分子激光器：cl7000, 準(zhǔn)分子激光器是傳統(tǒng)的氣體激光器，由于波長短（紫外），短脈沖寬度，高脈沖能量，是激光器家族不可替代的品種！應(yīng)用上，準(zhǔn)分子激光器在脈沖沉積鍍膜（pld），光纖光柵刻寫，lasik，光刻，微納加工等方面占主導(dǎo)的地位。
更新時間:2025-07-07
美國Trion批量生產(chǎn)用設(shè)備去膠系統(tǒng)
jbx-8100fs 圓形電子束光刻系統(tǒng)· 最新高精密jbx-8100fs圓形電子束光刻系統(tǒng)，通過全方位的設(shè)計優(yōu)化，實現(xiàn)更簡便的操作，更快的刻寫速度，更小的占地面積和安裝空間，并且更加綠色節(jié)能。
更新時間:2025-07-07
英國Nanobean 電子束光刻機
美coherent excistarxs準(zhǔn)分子激光器超緊湊、輕型、高度可靠的紫外線光源
更新時間:2025-07-07
美Coherent 準(zhǔn)分子激光器
美coherent excistarxs準(zhǔn)分子激光器超緊湊、輕型、高度可靠的紫外線光源
更新時間:2025-07-07
英國 Durham 無掩膜光刻機
nanoarch p130是科研3d打印系統(tǒng)，擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚，從而實現(xiàn)超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。
更新時間:2025-07-07
美國 OAI 光功率計
the oai solar energy meter measures solar simulator irradiance in "sun" units, for example, with one sun equaling 1000 w/m2 at 25 °c at airmass 1.5 global conditions.
更新時間:2025-07-07
美國 OAI 型UV光源
30型uv光源是高效的，可用于各種應(yīng)用。光由橢圓形反射器收集并聚焦在積分/聚光透鏡陣列上，以在曝光平面產(chǎn)生均勻的照明。這種紫外光源提供多種光束尺寸，最大24英寸平方，輸出光譜范圍從220 nm到450 nm，使用適當(dāng)?shù)臒簦òǎ］敵龉β史秶鷱?00瓦到5千瓦。所有oai uv光源都易于配備快速更換過濾器組件，使用戶能夠輕松定制輸出光譜。可選配遠(yuǎn)程排氣風(fēng)扇。
更新時間:2025-07-07
美國 OAI 實驗室用手動曝光機
oai 200型光刻機是一種具有成本效益的高性能掩模對準(zhǔn)器，采用經(jīng)過行業(yè)驗證的組件，使oai成為光刻設(shè)備行業(yè)的導(dǎo)者。 200型是臺式面罩對準(zhǔn)器，需要小的潔凈室空間。它為研發(fā)，或有限規(guī)模，試點生產(chǎn)提供了經(jīng)濟的替代方案。利用創(chuàng)新的空氣軸承/真空吸盤調(diào)平系統(tǒng)，襯底快速平穩(wěn)地平整，用于平行光掩模對準(zhǔn)和在接觸曝光期間在晶片上的均勻接觸。該系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)一微米分辨率和對準(zhǔn)精度。
更新時間:2025-07-07
美國 OAI 型光學(xué)正面和背面光刻機系統(tǒng)
2012sm型自動邊緣曝光系統(tǒng)為使用標(biāo)準(zhǔn)陰影掩模技術(shù)的邊緣珠去除提供了一種經(jīng)濟高效的方法。 設(shè)計用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實現(xiàn)，從而增加該生產(chǎn)工具的通用性和高產(chǎn)量。
更新時間:2025-07-07
美國 OAI 自動化邊緣曝光系統(tǒng)
2012sm型自動邊緣曝光系統(tǒng)為使用標(biāo)準(zhǔn)陰影掩模技術(shù)的邊緣珠去除提供了一種經(jīng)濟高效的方法。 設(shè)計用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實現(xiàn)，從而增加該生產(chǎn)工具的通用性和高產(chǎn)量。
更新時間:2025-07-07
美國 OAI 邊緣曝光系統(tǒng)
兩種型號的2000型曝光系統(tǒng)包括uv光源，強度控制電源和機器人襯底處理子系統(tǒng)。 uv光源提供發(fā)散半角<2.0％的可調(diào)強度光束。電源從200w到2,000w。強度控制器傳感器直接連接到光源，用于精確的強度監(jiān)控。機器人襯底處理系統(tǒng)是微處理器控制的，并且可以被編程以適應(yīng)各種各樣的襯底尺寸。
更新時間:2025-07-07
美國 OAI 光刻機
oai 5000e型大面積掩光刻機是一種先進(jìn)的高性能，全自動掩模對準(zhǔn)器和曝光工具，可為大型平板應(yīng)用提供超精密，頂，亞微米對準(zhǔn)和分辨率。 其靈活的設(shè)計允許在各種基材（圓形或方形）上印刷高達(dá)300mm或20“×20”。 曝光系統(tǒng)兼容近，中，或深紫外范圍的光刻膠，并具有計算機控制的led顯微鏡照明，在不太理想的觀察環(huán)境中觀察。
更新時間:2025-07-07
德國Eulitha 高分辨紫外光刻系統(tǒng)
phabler 100 紫外光刻機是一套低成本的光學(xué)曝光系統(tǒng)，但卻能獲得高分辨率的周期性結(jié)構(gòu)。同傳統(tǒng)的紫外曝光機類似，涂覆了光刻膠的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于eulitha公司擁有突破性的phable 曝光技術(shù)，在"phable"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，從而曝光出亞微米的線性光柵和二維光柵（六角形和正方形），且曝光結(jié)果非常均勻，質(zhì)量很好。
更新時間:2025-07-07
瑞士 NanoFrazor 3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫機
raith 150 two可實現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對實驗室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運行。
更新時間:2025-07-07
德國 Raith 150 Two 高分辨電子束曝光系統(tǒng)
raith 150 two可實現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對實驗室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運行。
更新時間:2025-07-07
德國Raith Voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機
德國raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機,系統(tǒng)可實現(xiàn)8英寸樣品的高速曝光。系統(tǒng)的穩(wěn)定性是非常關(guān)鍵的指標(biāo)，可保證大面積均勻曝光。該系統(tǒng)外部采用環(huán)境屏蔽罩，即使在稍差的實驗室環(huán)境下，仍然能確保系統(tǒng)具有非常好的熱穩(wěn)定性，提高系統(tǒng)對外界環(huán)境的容忍度。
更新時間:2025-07-07
德國Raith 電子束光刻機
ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺，采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺設(shè)計，對電子束直寫應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新時間:2025-07-07
德Raith 電子束光刻機
系統(tǒng)中集成了高精度的激光干涉工作臺，運動行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實現(xiàn)精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新時間:2025-07-07
瑞典 Mycronic 光刻機
主要優(yōu)勢提高分辨率 25%更佳的貼片性能 70%更快的寫入速度20%
更新時間:2025-07-07
瑞典 Mycronic 掩膜版光刻機
瑞典 mycronic 掩膜版光刻機 fps6100，用于制作高精度掩膜版，廣泛用于半導(dǎo)體，tft-lcd，微電子等行業(yè)。
更新時間:2025-07-07
牛津ICP等離子沉積機
plasmapro 80 icpcvd 牛津icp等離子沉積機，是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝性能。直開式設(shè)計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸，是科學(xué)研究、原型設(shè)計和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高性能工藝。
更新時間:2025-07-07
牛津Oxford等離子刻蝕與沉積設(shè)備
牛津oxford system 100 等離子刻蝕與沉積設(shè)備,該設(shè)備是一個靈活和功能強大的等離子體刻蝕和淀積工藝設(shè)備,具有工藝靈活性，適用于化合物半導(dǎo)體，光電子學(xué)，光子學(xué)，微機電系統(tǒng)和微流體技術(shù).
更新時間:2025-07-07
英國牛津OXFORD 等離子體刻蝕機
plasmapro 80 icp 英國牛津oxford 等離子體刻蝕機,是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小型且使用方便的直開式系統(tǒng)，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝質(zhì)量。直開式設(shè)計允許快速的進(jìn)行晶圓裝卸，是科學(xué)研究、原型設(shè)計和少量生產(chǎn)的理想選擇。 該設(shè)備通過優(yōu)化了的電冷卻技術(shù)和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高度穩(wěn)定的工藝結(jié)果。
更新時間:2025-07-07
牛津開放式樣品載入ALD設(shè)備
牛津opal開放式樣品載入ald設(shè)備，緊湊型開放式樣品載入原子層沉積（ald）系統(tǒng)，opal提供了業(yè)的熱ald設(shè)備，可以簡單明了的升使用等離子體，使得在同一緊湊設(shè)備中集成了等離子體和熱ald。
更新時間:2025-07-07
牛津離子束刻蝕機
已獲得利的高速襯底架（高達(dá)1000rpm）設(shè)計，并配備了白光光學(xué)監(jiān)視器（wlom）——更為準(zhǔn)確的實時光學(xué)薄膜控制
更新時間:2025-07-07
牛津深硅刻蝕系統(tǒng)
plasmapro 100 estrelas牛津深硅刻蝕系統(tǒng)，旨在提供深硅蝕刻（dsie）域的全方位的靈活性以滿足微電子機械系統(tǒng)（mems）、 先進(jìn)封裝以及納米技術(shù)市場的各種工藝要求?？紤]到研究和生產(chǎn)的市場發(fā)展，plasmapro 100 estrelas 提供了更加出色的工藝靈活性。
更新時間:2025-07-07
牛津原子層刻蝕機
plasmapro 100 ale 牛津原子層刻蝕機，市場應(yīng)用廣，包括但不限于： mems和傳感器、光電子、分立元器件和納米技術(shù)。它具有足夠的靈活性，可用于研究和開發(fā)，通過打造質(zhì)量滿足生產(chǎn)需求。
更新時間:2025-07-07
英國HHV 適合手套箱集成的真空鍍膜系統(tǒng)
英國hhv auto500 gb 適合手套箱集成的真空鍍膜系統(tǒng)，是門設(shè)計用于手套箱集成使用的鍍膜設(shè)備，滿足氧氣或水汽敏感的材料鍍膜的應(yīng)用要求。該系統(tǒng)配了一個特殊結(jié)構(gòu)的真空腔室，可直接與市場上大多數(shù)手套箱集成到一起。真空腔室的門可豎直滑動開關(guān)，嵌入手套箱內(nèi)，并占用很少的手套箱空間；其后門是鉸鏈扇式開關(guān)，能在不影響手套箱內(nèi)氣氛的情況下輕松維護(hù)腔室內(nèi)工藝組件。
更新時間:2025-07-07
英國HHV 科研工作者和電子顯微學(xué)家的多功能鍍膜設(shè)備
英國hhv auto 306 科研工作者和電子顯微學(xué)家的多功能鍍膜設(shè)備，是一種多功能的緊湊型鍍膜設(shè)備，設(shè)計用于滿足科研工作者和電子顯微學(xué)家的需求。auto306可配備各種真空系統(tǒng)、真空腔室和標(biāo)準(zhǔn)化工藝附件，提供一系列實驗技術(shù)以滿足現(xiàn)代化實驗室的需要。
更新時間:2025-07-07
英國HHV適合先進(jìn)研發(fā)和試生產(chǎn)的全功能系統(tǒng)
tf500/tf600 適合先進(jìn)研發(fā)和試生產(chǎn)的全功能系統(tǒng)，系統(tǒng)配置可選擇多種腔室尺寸和工藝附件，以精確的符合用戶需求。這兩個型號的系統(tǒng)都可以安裝多個鍍膜源，也都支持離子束處理選項。有一系列預(yù)進(jìn)樣室（load lock）和樣品操縱裝置可供選擇，以提高真空鍍膜效率。
更新時間:2025-07-07
德國 PVA TePla 等離子去膠機
ion 100wb-40q 德國 pva tepla 等離子去膠機，最新推出的具有高性價比的真空等離子去膠設(shè)備，配備了一個圓筒石英腔，特別適用于半導(dǎo)體、led、mems等領(lǐng)域的光刻膠灰化、打殘膠、氮化物刻蝕、表面清潔等應(yīng)用的批次處理。
更新時間:2025-07-07
紫外單面光刻機
ure-2000系列紫外單面光刻機，主要型號有：ure-2000a，ure-2000b，ure-20000/35,ure-20000/35a，ure-2000/25,ure-2000/17.由中國科學(xué)院制造生產(chǎn)。
更新時間:2025-07-07
紫外單面光刻機
ure-2000/a8 紫外單面光刻機，中科院設(shè)計生產(chǎn)。曝光面積： 200mm×200mm
更新時間:2025-07-07
紫外單面光刻機
ure-2000a 型紫外單面光刻機，中科院設(shè)計生產(chǎn)，曝光面積：150mmx150mm
更新時間:2025-07-07
紫外單面光刻機
ure-2000b 型紫外單面光刻機，中科院設(shè)計生產(chǎn)，曝光面積：100mmx100mm
更新時間:2025-07-07
紫外單面光刻機
ure-2000/35 型紫外單面光刻機，中科院設(shè)計生產(chǎn)，曝光面積：4 英寸 ，非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動化程度高）和高校教學(xué)科研 （可靠性好，演示方便） 。
更新時間:2025-07-07
芬蘭 PICOSUN 原子層沉積機
芬蘭 picosun r-200標(biāo)準(zhǔn)型ald,為液體、氣體和固體化學(xué)物提供的更高級的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度最小的薄膜層。 在最基本的picosun™ r系列配置中可以選擇多個獨立的，完全分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。
更新時間:2025-07-07
PICOSUN 生產(chǎn)型原子層沉積機
德國 picosun p-1000 pro ald 生產(chǎn)型原子層沉積機,156 mm x 156 mm硅片800～1000片/批次（雙面/背對背）,高達(dá)400 mm x 600 mm玻璃基板30～50片/批次（雙面/背對背）,(w x h x d) 230 cm x 270 cm x 125 cm,標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗收標(biāo)準(zhǔn)為 al2o3 工藝.
更新時間:2025-07-07
高級型原子層沉積機
picosun p-300 advanced ald 高級型原子層沉積機.156 mm x 156 mm硅片50～100片/批次（雙面/背對背），高達(dá)300 mm x 300 mm玻璃基板10～20片/批次（雙面/背對背）；roll-to-roll, 襯底最大寬 300 mm。全自動轉(zhuǎn)載，用工業(yè)機器人實現(xiàn),標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗收標(biāo)準(zhǔn)為 al2o3 工藝 .
更新時間:2025-07-07
高級原子沉積機
picosun p-300b advanced ald 高級原子沉積機,基片尺寸和類型 300mm晶圓10片/批次（標(biāo)準(zhǔn)間距）,200mm晶圓25+2片/批次（標(biāo)準(zhǔn)間距）,(w x h x d) 149 cm x 191 cm x 111 cm,標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗收標(biāo)準(zhǔn)為 al2o3 工藝.
更新時間:2025-07-07

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